Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)Реферативна база даних (11)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Baturin V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
1.

Baturin V. V. 
The resistance of rubbers which contain shoddy and are based on fluorine-elastomers in organochlorine liquids [Електронний ресурс] / V. V. Baturin, Yu. N. Vashchenko, G. D. Semenov // Вопросы химии и химической технологии. - 2014. - № 2. - С. 53-55. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vchem_2014_2_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 180.01 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Dranchuk M. V. 
Effect of substrate temperature on structural, optical and electrical properties of al-doped zinc oxide thin films deposited by layer-by-layer method at magnetron sputtering [Електронний ресурс] / M. V. Dranchuk, A. I. Ievtushenko, V. A. Karpyna, O. S. Lytvyn, V. R. Romanyuk, V. M. Tkach, V. A. Baturin, O. Y. Karpenko, V. M. Kuznetsov, V. I. Popovych // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 1. - С. 5-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_1_3
Легированные алюминием тонкие пленки ZnO (AZO) выращены на кремниевых и стеклянных подложках с помощью метода послойного роста в магнетронном распылении при разной температуре подложки. Анализ с помощью атомно-силовой микроскопии показал, что пленки AZO являются очень гладкими со средним значением среднеквадратичной шероховатости 2,3 нм. В результате проведения энерго-дисперсионного рентгеновского анализа установлено, что содержание алюминия в пленках AZO составляет примерно 1 ат. %. Рентгеновские исследования показали, что все легированные алюминием пленки ZnO является поликристаллическими с гексагональной структурой вюрцита с осью с ориентированной перпендикулярно плоскости пленки (002). Оптические измерения показали, что все только выращенные пленки имеют высокую прозрачность (84 %) в видимой области спектра и имеют энергетическую щель 3,34 - 3,41 эВ, что свидетельствует о их хорошем оптическом качестве. Наименьшее значение сопротивления составило <$E1,7~cdot~10 sup -2 ~roman {Ом~cdot~см}> для пленки AZO, выращенной при температуре подложки <$E350~symbol Р roman C>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 694.012 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Myroniuk D. V. 
Effect of electron irradiation on transparent conductive films ZnO:Al deposited at different power sputtering [Електронний ресурс] / D. V. Myroniuk, A. I. Ievtushenko, G. V. Lashkarev, V. T. Maslyuk, I. I. Timofeeva, V. A. Baturin, O. Y. Karpenko, V. M. Kuznetsov, M. V. Dranchuk // Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 3. - С. 286-291. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_3_10
Transparent conductive oxide thin films of Al-doped ZnO grown by rf magnetron sputtering were irradiated with high energy electrons with the energy 12,6 MeV and fluence <$E5~cdot~10 sup 14> e/cm<^>2. The films were produced using different sputtering powers. It has been shown that electron irradiation creates defects that lead to distortions of the crystal lattice, which results in reduced crystallinity of the films. Also, it leads to film heating that results in radiation annealing and relaxation of the lattice.
Попередній перегляд:   Завантажити - 183.628 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Kalinkevich O. V. 
Formation of antibacterial coatings on chitosan matrices by magnetron sputtering [Електронний ресурс] / O. V. Kalinkevich, O. Yu. Karpenko, Ya. V. Trofimenko, A. M. Sklyar, V. Yu. Illiashenko, A. N. Kalinkevich, V. A. Baturin, S. N. Danilchenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2017. - Т. 8, № 4. - С. 410-415. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2017_8_4_9
За допомогою методу магнетронного розпилення одержано тонкі мідні покриття на біодеградуючих хітозанових матрицях. Вивчено фізико-хімічні характеристики одержаних покриттів, а також їх антибактеріальні властивості. Вміст міді не перевищує порогу токсичності для людини 200 - 250 мг/доба. Наявність ультратонкої мідної плівки не змінює морфологію та кристалічну структуру плівок хітозану, але значно підвищує їх антибактеріальні властивості; зокрема, плівки пригнічують ріст S. aureus.
Попередній перегляд:   Завантажити - 186.029 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Nahornyy V. A. 
Low-energy Electron Beam Profile Monitor [Електронний ресурс] / V. A. Nahornyy, D. A. Nahornyy, V. A. Baturin, A. G. Nahornyy // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 1. - С. 01004-1-01004-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_1_6
Розроблено та протестовано монітор профілю електронного пучка з низькою енергією, якого було використано для оптимізації фокусування безперервного електронного пучка зі струмом до 5 мкА й кінетичною енергією менше 20 еВ. Пристрій реалізує метод колектора з малим отвором. Колектор електронів виконаний на принципі диска Нипкова, який надає змогу досліджувати поперечний переріз за один повний оберт. Це дозволило прискорити процес виміру у порівнянні з приладами, що використовують зворотно-поступальний рух колектора з отвором. Монітор надає змогу визначати двовимірний профіль променю й вимірювати його струм. Монітор використовувався для дослідження параметрів пучка низькоенергетичної електронної гармати, призначеної для виміру роботи виходу електронів з металу за методом Андерсона. Наведено схему експериментальної установки для тестування монітора й описано її роботу. Електричні сигнали, одержані у процесі сканування, разом з імпульсами синхронізації через адаптер PCI-1802L передаються на персональний комп'ютер, де спеціально розроблена програма збирає й обробляє одержані дані. Результати вимірів відображаються на моніторі комп'ютера у вигляді сімейства лінійних графіків, тривимірних зображень і таблиць для кожного циклу виміру (оберту диска). Конструкція потребує невисоких матеріальних й трудових витрат й мінімальної кількості спеціальної електроніки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 348.54 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Danilchenko S. N. 
Comparative XRD Analysis of the Stress State of a Thin Tungsten Ribbon and Magnetron-Sputtered Tungsten Coatings [Електронний ресурс] / S. N. Danilchenko, A. V. Kochenko, A. N. Kalinkevich, O. Yu. Karpenko, V. A. Baturin // Journal of nano- and electronic physics. - 2022. - Vol. 14, no. 1. - С. 01026-1-01026-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2022_14_1_27
За допомогою методу рентгенівської тензометрії (<$Esin sup 2 psi> метод) досліджено напружений стан прокатаної вольфрамової стрічки та покриттів вольфраму, магнетронно напилених на підкладці з феритної сталі. У вольфрамовій стрічці виявлено площинні двовісні стискаючі напруження <$Esigma sub y ~=~ -0,40> ГПа і -0,45 ГПа у напрямку прокатки та <$Esigma sub x ~=~-0,28> ГПа і -0,25 ГПа у напрямку, перпендикулярному напрямку прокатки з лицьової та зворотної сторони, відповідно. У покриттях вольфраму на сталевій підкладці виявлено площинні рівновісні стискаючі напруження, вісесиметричні відносно нормалі до поверхні <$Esigma sub x ~=~sigma sub y ~=~sigma sub phi>. Величини напружень у вольфрамових покриттях у кілька разів вищі, ніж у вольфрамовій стрічці. Найбільше напруження стиснення (-3,7 ГПа) виявлено у вольфрамовому покритті номінальною товщиною 250 нм, у покритті товщиною 460 нм рівень напружень у 1,5 разу нижчий. Особливістю проведеного аналізу було те, що у випадку вольфрамової стрічки використовувалася лінія (310), яка безумовно належить до прецизійної області кутів дифракції, тоді як у випадку вольфрамових покриттів через перекриття (310) лінії W та лінії (220) <$Ealpha - roman Fe> підкладки, використано лінії (220) та (211), які задовольняють цій умові меншою мірою. Застосування відносно м'якого Co-випромінювання (у порівнянні з Cu-випромінюванням) дещо пом'якшило цю невідповідність. Параметр гратки, що відповідає недеформованому перетину еліпсоїда деформації (<$Ealpha sub 0>), у вольфрамовій стрічці був нижчим, а у покриттях - вищим, ніж довідкове значення для <$Ealpha - roman W>; зі збільшенням товщини покриття ця відмінність збільшується. Причини цих розбіжностей обговорено. З розгляду розширення дифракційних піків вольфраму встановлено, що як малі розміри кристалітів, так і мікродеформації кристалічної гратки є причиною цього розширення у зразках обох груп, хоча мікроструктура покриттів значно дефектніша.
Попередній перегляд:   Завантажити - 371.689 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського